Номер детали производителя:
NCP51145PDR2G
Тип:
интегральная схемаа
Описание:
IDT (ТЕПЕРЬ RENESAS) IDTQS3VH257PAG
Напряжение - Пробой:
/
Частота - переключение:
/
Мощность (Ватт):
/
Рабочая температура:
/
Устанавливать тип:
/
Напряжение питания (мин.):
/
Напряжение питания (макс.):
/
Напряжение - Выход:
/
Текущий - выход / канал:
/
Частота:
/
Применения:
Печатная плата
Тип полевого транзистора:
/
Ток - выход (макс.):
/
Текущий - Поставка:
/
Напряжение тока - поставка:
/
Частота - макс.:
/
Мощность - Макс.:
/
Допуск:
/
Функция:
/
Источник питания — внутренний:
/
Частота - отсечка или центр:
/
Ток - утечка (IS(off)) (макс.):
/
Изолированная мощность:
/
Напряжение - Изоляция:
/
Ток - Выход Высокий, Низкий:
/
Ток - Пиковый выход:
/
Напряжение - вперед (Vf) (тип.):
/
Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.):
/
Тип ввода:
/
Тип выхода:
/
Текущий коэффициент передачи (мин.):
/
Текущий коэффициент передачи (макс.):
/
Напряжение - выход (макс.):
/
Напряжение — выключенное состояние:
/
Статическая dV/dt (мин):
/
Ток — срабатывание светодиода (Ift) (макс.):
/
Текущий — состояние «включено» (It (RMS)) (макс.):
/
Импеданс:
/
Импеданс - несбалансированный/сбалансированный:
/
Частота гетеродина:
/
Частота RF:
/
Входной диапазон:
/
Сила выхода:
/
Диапазоны частот (низкие/высокие):
/
Спецификации:
/
Размер / размер:
/
Модуляция или протокол:
/
Интерфейс:
/
Выходная мощность:
/
Размер запоминающего устройства:
/
Протокол:
/
Модуляция:
/
Последовательные интерфейсы:
/
GPIO:
/
Используемая микросхема / часть:
/
Стандарты:
/
Стиль:
/
Тип памяти:
/
Доступная для записи память:
/
Сопротивление (Ом):
/
Перекрестная ссылка:
/
Продукт:
IDTQS3VH257PAG IC
whatsapp:
+8613424013606
Скайп:
sensenhenhao
Вичат:
JoyLY0322
Напряжение тока - выход::
100В
Текущий объем производства/канал::
1-10А
Тип крепления::
SMD ИЛИ ПОГРУЖЕНИЕ
Питание током::
120А
Тип::
интегральная схемаа
Настоящий - пуск СИД (Ift) (Макс)::
0,2 А
Порт:
ШЭНЬЧЖЭНЬ
